制造商:Toshiba
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOP-Advance-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:66 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:55 nC
最小工作溫度:-
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:54 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:Reel
系列:TPH6R30ANL
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Toshiba
下降時(shí)間:12 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:58 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns