FET 類型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：35A（Tc）
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：42nC @ 8V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2200pF @ 400V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：62 毫歐 @ 22A，8V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247
封裝/外殼：TO-247-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs