FET 類型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：27A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 400uA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 8V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1130pF @ 400V
功率耗散（最大值）：104W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：72 毫歐 @ 17A，8V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
封裝/外殼：TO-220-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs