FET 類型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 8V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 400V
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13A，8V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
封裝/外殼：TO-220-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs