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TPH3208PS PDF資料
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  • 制造商:TRANSPHORM[Transphorm Inc]
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  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:650V GaN FET TO-220 Series
TPH3208PS技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 300μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):14nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 400V
  • 功率耗散(最大值):96W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 13A,8V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-220
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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