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  • 深圳市創(chuàng)科捷佳電子有限公司

    6年

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  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

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  • 深圳市辰芯偉業(yè)科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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TPH4R803PL,LQ PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • PDF文件大?。?80.44 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共9頁
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
TPH4R803PL,LQ技術規(guī)格
  • SeriesU-MOSIX-H
  • PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel?
  • FET TypeN-Channel
  • TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 200μA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1975 pF @ 15 V
  • FET Feature-
  • Power Dissipation (Max)830mW (Ta), 69W (Tc)
  • Operating Temperature175°C
  • Mounting TypeSurface Mount
  • Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5)
  • Package / Case8-PowerVDFN
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