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BSZ036NE2LSATMA1
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSDSON-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導通電阻:3 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:21 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:37 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:OptiMOS

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:3.3 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:3.3 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:44 S

下降時間:2.2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:2.8 ns

工廠包裝數(shù)量:5000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:3.3 ns

零件號別名:BSZ036NE2LS BSZ36NE2LSXT SP000854572

介紹圖BSZ036NE2LSATMA1
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
BSZ036NE2LSATMA1MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOSInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)573.96 Kbytes共9頁BSZ036NE2LSATMA1的PDF文件地址 BSZ036NE2LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSZ036NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.73 Mbytes共11頁BSZ036NE2LSATMA1的PDF文件地址 BSZ036NE2LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSZ036NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.73 Mbytes共11頁BSZ036NE2LSATMA1的PDF文件地址 BSZ036NE2LSATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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