不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2800pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.9 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-TSDSON-8
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：22A（Ta）. 40A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：44nC @ 10V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：40A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.9mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.2V
Vgs - 柵極-源極電壓：10V
Qg-柵極電荷：44nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散：69W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：OptiMOS
封裝：CutTape
高度：1.1mm
長(zhǎng)度：3.3mm
晶體管類型：1N-Channel
正向跨導(dǎo) - 最小值：70S
下降時(shí)間：4.6ns
上升時(shí)間：6.8ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28ns
典型接通延遲時(shí)間：5.4ns
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs