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BSZ035N03LSG
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:3.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSDSON-8

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5.4 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:5000

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:7.8 ns

零件號別名:BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGXT SP000278809

介紹圖BSZ035N03LSG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
BSZ035N03LSGOptiMOSa?¢3 Power-MOSFET INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)339.27 Kbytes共9頁BSZ035N03LSG的PDF文件地址 BSZ035N03LSG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSZ035N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.94 Mbytes共11頁BSZ035N03LSGATMA1的PDF文件地址 BSZ035N03LSGATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
BSZ035N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSONInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.94 Mbytes共11頁BSZ035N03LSGATMA1的PDF文件地址 BSZ035N03LSGATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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