不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 12V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），37W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-TSDSON-8
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：16A（Ta），40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：16nC @ 10V
安裝風格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：40A
Rds On-漏源導通電阻：3.6mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.2V
Vgs - 柵極-源極電壓：10V
Qg-柵極電荷：16nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散：37W
通道模式：Enhancement
商標名：OptiMOS
封裝：CutTape
高度：1.1mm
長度：3.3mm
晶體管類型：1N-Channel
正向跨導 - 最小值：44S
下降時間：2.2ns
上升時間：2.8ns
典型關閉延遲時間：15ns
典型接通延遲時間：3.3ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs