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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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SSM3J355R PDF資料
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- 制造商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF文件大?。?70.64 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFETs Silicon P-Channel MOS
SSM3J355R,LF技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-23F-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
- Id-連續(xù)漏極電流:6 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:23 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:16.6 nC
- 最小工作溫度:-
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:2 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 晶體管類型:1 P-Channel
- 商標(biāo):Toshiba
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:12.8 S
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:320 ns
- 典型接通延遲時間:30 ns
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