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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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SSM3J372R PDF資料
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- 制造商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF文件大小:309.59 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??±)
SSM3J372R,LF技術(shù)規(guī)格
- 包裝Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 系列U-MOSVI
- 零件狀態(tài)有源
- FET 類型P 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)6A(Ta)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,10V
- 不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)42 毫歐 @ 5A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)8.2nC @ 4.5V
- Vgs(最大值)+12V,-6V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)560pF @ 15V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)1W(Ta)
- 工作溫度150°C
- 安裝類型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝SOT-23F
- 封裝/外殼SOT-23-3 扁平引線
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