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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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SSM3J36MFV,L3F PDF資料
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- 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
- PDF文件大?。?77.90 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共5頁
- 描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
SSM3J36MFV(TL3,T)技術(shù)規(guī)格
- FET特點:Logic Level Gate, 1.5V Drive
- 封裝:Tape & Reel (TR)
- 安裝類型:Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:330mA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:VESM
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
- FET型:MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大:150mW
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000
- 漏極至源極電壓(Vdss):20V
- 輸入電容(Ciss ) @ VDS:43pF @ 10V
- 閘電荷(Qg ) @ VGS:1.2nC @ 4V
- 封裝/外殼:SOT-723
- 其他名稱:SSM3J36MFV(TL3T)CT
- RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
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