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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
IPD80P04P4L-08(4P04L08)
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IPD80R1K0CE PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大小:2321.74 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共15頁(yè)
- 描述:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPD80R1K0CE技術(shù)規(guī)格
- 封裝形式Package:DPAK
- 極性Polarity:N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS:800V
- 連續(xù)漏極電流ID:5.7A
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝/外殼:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:800V
- Id-連續(xù)漏極電流:5.7A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:800mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1V
- Vgs - 柵極-源極電壓:20V
- Qg-柵極電荷:31nC
- 最小工作溫度:-55C
- 最大工作溫度:+150C
- 配置:Single
- Pd-功率耗散:83W
- 通道模式:Enhancement
- 高度:2.3mm
- 長(zhǎng)度:6.5mm
- 系列:CoolMOSCE
- 晶體管類(lèi)型:1N-Channel
- 寬度:6.22mm
- 下降時(shí)間:8ns
- 上升時(shí)間:15ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72ns
- 典型接通延遲時(shí)間:25ns
- Packing Type:TAPE & REEL
- Moisture Level:1
- RDS (on) max:950.0m?
- IDpuls max:18.0A
- VDS max:800.0V
- ID max:5.7 A
- RthJC max:1.5 K/W
- QG (typ @10V):31.0 nC
- Package:DPAK (TO-252)
- Rth:1.5K/W
- QG:31.0 nC
- ID (@25°C) max:5.7 A
- Budgetary Price ?€/1k:0.49
- Operating Temperature min:-55.0°C
- Ptot max:83.0W
- Ptot max:83.0 W
- Polarity:N
- IDpuls max:18.0 A
- VDS max:800.0 V
- Operating Temperature min:-55.0 °C
- RDS (on) (@10V) max:950.0 m?
- Pin Count:3.0 Pins
- RthJA max:62.0K/W
- VGS(th) min max:2.1 V 3.9 V
- Mounting:SMT
- RthJC max:1.5K/W
- RthJA max:62.0 K/W
- Special Features:price/performance
- VGS(th) min max:2.1V 3.9V
- RDS (on) max:950.0 m?
- 無(wú)鉛情況/RoHs:否
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