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IPD80R1K0CE
規(guī)格信息:

封裝形式Package:DPAK

極性Polarity:N-CH

漏源極擊穿電壓VDSS:800V

連續(xù)漏極電流ID:5.7A

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝/外殼:TO-252-3

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800V

Id-連續(xù)漏極電流:5.7A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:800mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1V

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

Qg-柵極電荷:31nC

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:83W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

長度:6.5mm

系列:CoolMOSCE

晶體管類型:1N-Channel

寬度:6.22mm

下降時間:8ns

上升時間:15ns

典型關(guān)閉延遲時間:72ns

典型接通延遲時間:25ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:950.0m?

IDpuls max:18.0A

VDS max:800.0V

ID max:5.7 A

RthJC max:1.5 K/W

QG (typ @10V):31.0 nC

Package:DPAK (TO-252)

Rth:1.5K/W

QG:31.0 nC

ID (@25°C) max:5.7 A

Budgetary Price ?€/1k:0.49

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:83.0W

Ptot max:83.0 W

Polarity:N

IDpuls max:18.0 A

VDS max:800.0 V

Operating Temperature min:-55.0 °C

RDS (on) (@10V) max:950.0 m?

Pin Count:3.0 Pins

RthJA max:62.0K/W

VGS(th) min max:2.1 V 3.9 V

Mounting:SMT

RthJC max:1.5K/W

RthJA max:62.0 K/W

Special Features:price/performance

VGS(th) min max:2.1V 3.9V

RDS (on) max:950.0 m?

無鉛情況/RoHs:

介紹圖IPD80R1K0CE
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IPD80R1K0CEN-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)336.39 Kbytes共2頁IPD80R1K0CE的PDF文件地址 IPD80R1K0CE的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD80R1K0CEATMA1MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.14 Mbytes共15頁IPD80R1K0CEATMA1的PDF文件地址 IPD80R1K0CEATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD80R1K0CEATMA1MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.14 Mbytes共15頁IPD80R1K0CEATMA1的PDF文件地址 IPD80R1K0CEATMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPD80R1K0CEBTMA1MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.14 Mbytes共15頁IPD80R1K0CEBTMA1的PDF文件地址 IPD80R1K0CEBTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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