�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
IPD80R450P7ATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������1.98 Mbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����13�(y��)
- ������MOSFET
IPD80R450P7ATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- FET ��ͣ�N �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss����800V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����11A��Tc��
- �(q��)��(d��ng)늉������ Rds On����С Rds On����10V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����3.5V @ 220��A
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����24nC @ 10V
- Vgs�����ֵ������20V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����770pF @ 500V
- FET ���ܣ�����(j��)�Y(ji��)
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����73W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����450 ���W @ 4.5A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 150��C��TJ��
- ���b��ͣ������N�b
- ����(y��ng)���������b��TO-252
- ���b/�⚤��PG-TO252-3
- ͨ����ͣ�N
- ����B�m(x��)©�O�����11 A
- ���©Դ늉���800 V
- ���©Դ���ֵ��450 m0hms
- �����ֵ늉���3.5V
- ��С���ֵ늉���2.5V
- ����Դ늉���-30 V��+30 V
- ���b��ͣ�DPAK (TO-252)
- ���_��(sh��)Ŀ��3
- ͨ��ģʽ������(qi��ng)
- e������ MOSFET
- ����ʺ�ɢ��73 W
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g��10 ns
- �����P(gu��n)�����t�r(sh��)�g��40 ns
- ����ݔ�����ֵ@Vds��770 pF @ 500 V
- ���͖ŘO늺�@Vgs��24 nC @ 10 V
- ϵ�У�CoolMOS P7
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- ������ضȣ�-55 ��C
- ���ȣ�6.22mm
- �L(zh��ng)�ȣ�6.73mm
- �߶ȣ�2.41mm
- ������O��늉���0.9V
- �ߴ磺6.73 x 6.22 x 2.41mm
- ��߹����ضȣ�+150 ��C
- �o(w��)�U��r/RoHs���o(w��)�U/����RoHs
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPD80R450P7ATMA1���P(gu��n)��̖(h��o)