FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 220μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：24nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：770pF @ 500V
FET 功能：超級(jí)結(jié)
功率耗散（最大值）：73W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 4.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-252
封裝/外殼：PG-TO252-3
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：11 A
最大漏源電壓：800 V
最大漏源電阻值：450 m0hms
最大柵閾值電壓：3.5V
最小柵閾值電壓：2.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：73 W
典型接通延遲時(shí)間：10 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：40 ns
典型輸入電容值@Vds：770 pF @ 500 V
典型柵極電荷@Vgs：24 nC @ 10 V
系列：CoolMOS P7
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
寬度：6.22mm
長(zhǎng)度：6.73mm
高度：2.41mm
正向二極管電壓：0.9V
尺寸：6.73 x 6.22 x 2.41mm
最高工作溫度：+150 °C
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs