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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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CSD25301W1015 PDF資料
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- 制造商:TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大?。?84.11 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共11頁
- 描述:P-Channel NexFETa?¢ Power MOSFET
CSD25301W1015技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:NexFET MOSFET Technology
- 視頻文件:NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:NexFET??
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.2A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA(1x1.5)
- 其它名稱:296-24259-2
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