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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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CSD25485F5 PDF資料
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- 制造商:TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大?。?31.11 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共12頁
- 描述:20-V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25485F5技術規(guī)格
- 制造商:Texas Instruments
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術:Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PICOSTAR-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:P-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
- Id-連續(xù)漏極電流:3.2 A
- Rds On-漏源導通電阻:250 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
- Qg-柵極電荷:3.5 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1.4 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標名:PicoStar
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:0.35 mm
- 長度:1.53 mm
- 系列:CSD25485F5
- 晶體管類型:1 P-Channel
- 寬度:0.77 mm
- 商標:Texas Instruments
- 正向跨導 - 最小值:7 S
- 下降時間:14 ns
- 產品類型:MOSFET
- 上升時間:6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關閉延遲時間:27 ns
- 典型接通延遲時間:14 ns
- 單位重量:0.700 mg
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