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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
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13 年
0755-83663056 18922805453,18929374037,18922803401 連 0755-82537787 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓 1 1016516
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CSD25485F5T PDF資料
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制造商:TI1[Texas Instruments]
PDF文件大小:631.11 Kbytes
PDF文件頁數(shù):共12頁
描述:20-V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25485F5T技術(shù)規(guī)格
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 是
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PICOSTAR-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 250 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V
Qg-柵極電荷: 3.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PicoStar
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.35 mm
長度: 1.53 mm
系列: CSD25485F5
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 0.77 mm
商標(biāo): Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S
下降時(shí)間: 14 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 250
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 14 ns
單位重量: 0.700 mg
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