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BSP149 PDF文件_規(guī)格信息

BSP149
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：200V

Id-連續(xù)漏極電流：660mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓：2.1V,1V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：SingleDualDrain

Pd-功率耗散：1.8W

通道模式：Depletion

資格：AEC-Q101

高度：1.6mm

長(zhǎng)度：6.5mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：3.5mm

下降時(shí)間：3.4ns

上升時(shí)間：3.4ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45ns

典型接通延遲時(shí)間：5.1ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1800.0m?

IDpuls max：2.6A

VDS max：200.0V

ID max：0.66A

RthJC max：70.0 K/W

Package：SOT-223

QG：11.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.36

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：N

Pin Count：4.0 Pins

VGS(th) min max：-2.1 V -1.0 V

Mounting：SMD

Mode：Depletion

Coss：41.0pF

Ciss：326.0 pF

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

BSP149

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	328.62 Kbytes	共7頁(yè)	BSP129,BSP135,BSS135,BSS139,BSS149,BSS159,BSS169,BSS229,BSS129,BSP300	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	206.19 Kbytes	共9頁(yè)	BSP135,BSS7728N,BSO-302SN,BSP170P,SN7002N,BSP171P,BSP613P,SN7002W,BSS83P,BSP296	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	226.93 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 E6327	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 E6906	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 H6327	MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3	Infineon Technologies	402.48 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：660mA 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：1V @ 400uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 H6906	MOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3	Infineon Technologies	402.48 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149 H6906		Infineon(英飛凌)	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149_05	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	226.93 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149H6327XTSA1	MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3	Infineon Technologies	402.48 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149H6327XTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149H6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：660mA 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：1V @ 400uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149H6906XTSA1	MOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3	Infineon Technologies	402.48 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149H6906XTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149L6327HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149L6906HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP149L6906HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	396.76 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)

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