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BSP110
規(guī)格信息:

漏極電流(最大值):0.52 A

頻率(最大):Not Required MHz

柵源電壓(最大值):?20 V

輸出功率(最大):Not Required W

功率耗散:6.25 W

安裝:Surface Mount

噪聲系數:Not Required dB

漏源導通電阻:10 ohm

工作溫度范圍:-65C to 150C

包裝類型:SOT-223

引腳數:3 +Tab

極性:N

類型:Power MOSFET

元件數:1

工作溫度分類:Military

通道模式:Enhancement

漏極效率:Not Required %

漏源導通電壓:100 V

功率增益:Not Required dB

弧度硬化:No

連續(xù)漏極電流:0.52 A

介紹圖BSP110
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
BSP110N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網75.69 Kbytes共12頁BSP110的PDF文件地址BSS89,BSN254,BSP030,2N7000,BSP106,BS107,BSP107,BS107A,BSP108,BSS91 BSP110的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
BSP110N-Channel 100-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網977.65 Kbytes共6頁BSP110的PDF文件地址 BSP110的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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