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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSP149 E6327 PDF資料
- 資料下載
- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?96.76 Kbytes
- PDF文件頁數:共9頁
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSP149 E6327技術規(guī)格
- 數據列表:BSP149
- 標準包裝:1,000
- 類別:分立半導體產品
- 家庭:FET - 單
- 系列:SIPMOS®
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:耗盡模式
- 漏源極電壓(Vdss):200V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400µA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商器件封裝:PG-SOT223-4
- 其它名稱:BSP149E6327TSP000011104
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