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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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ZXMN6A09DN8TA PDF資料
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- 制造商:ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大小:694.82 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09DN8TA技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SO-8
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
- Id-連續(xù)漏極電流:5.1 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:2.1 W
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Reel
- 高度:1.5 mm
- 長度:5 mm
- 系列:ZXMN6A
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 類型:MOSFET
- 寬度:4 mm
- 商標(biāo):Diodes Incorporated
- 下降時(shí)間:4.6 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:5 ns
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25.3 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:4.9 ns
- 單位重量:74 mg
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