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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:5.1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

高度:1.5 mm

長度:5 mm

系列:ZXMN6A

晶體管類型:2 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

下降時(shí)間:4.6 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25.3 ns

典型接通延遲時(shí)間:4.9 ns

單位重量:74 mg