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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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ZXMN6A08E6QTA PDF資料
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- 制造商：Diodes Incorporated
- PDF文件大?。?40.72 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
ZXMN6A08E6QTA技術(shù)規(guī)格
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 封裝/外殼：SOT-23-6
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26
- 其他名稱：ZXMN6A08E6QTADITR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
- FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.1W
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
- 漏極至源極電壓（Vdss）：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：459pF @ 40V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：5.8nC @ 10V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 工廠包裝數(shù)量：3000
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
- 晶體管極性：N-Channel
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1 V
- Qg - Gate Charge：5.8 nC
- Vgs - Gate-Source Voltage：20 V
- 下降時(shí)間：4.6 ns
- 品牌：Diodes Incorporated
- 通道數(shù)：1 Channel
- 配置：Single
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 晶體管類型：1 N-Channel
- 正向跨導(dǎo) - 閔：6.6 S
- Id - Continuous Drain Current：2.5 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：150 mOhms
- RoHS：RoHS Compliant
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12.3 ns
- 通道模式：Enhancement
- 系列：ZXMN6
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 最低工作溫度：- 55 C
- Pd - Power Dissipation：8.8 W
- 上升時(shí)間：2.1 ns
- 技術(shù)：Si
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