FET特點：Logic Level Gate
封裝：Tape & Reel (TR)
安裝類型：Surface Mount
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
封裝/外殼：SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26
其他名稱：ZXMN6A08E6QTADITR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)
輸入電容（Ciss ） @ VDS：459pF @ 40V
閘電荷（Qg ） @ VGS：5.8nC @ 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
晶體管極性：N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1 V
Qg - Gate Charge：5.8 nC
Vgs - Gate-Source Voltage：20 V
下降時間：4.6 ns
品牌：Diodes Incorporated
通道數(shù)：1 Channel
配置：Single
最高工作溫度：+ 150 C
晶體管類型：1 N-Channel
正向跨導(dǎo) - 閔：6.6 S
Id - Continuous Drain Current：2.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance：150 mOhms
RoHS：RoHS Compliant
典型關(guān)閉延遲時間：12.3 ns
通道模式：Enhancement
系列：ZXMN6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最低工作溫度：- 55 C
Pd - Power Dissipation：8.8 W
上升時間：2.1 ns
技術(shù)：Si