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- 供應(yīng)商
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- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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更多收回
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深圳市裕順宏電子有限公司
13年
陳R華強(qiáng)北01010814
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ZXMN3G32DN8TA
- ZETEX
- SOP8
- 14+
- 9000
- 原裝現(xiàn)貨，樣品可售，量大價(jià)優(yōu)
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ZXMN3G32DN8TA PDF資料
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- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大?。?19.03 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共8頁(yè)
- 描述：30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8TA技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
- FET 型
：2 N-Channel (Dual)
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：30V
- 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：5.5A
- Rds（最大）@ ID，VGS：28 mOhm @ 6A, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：10.5nC @ 10V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：472pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安裝類型
：Surface Mount
- 包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
- 包裝材料
：Tape & Reel (TR)
- 包裝：8SO
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大連續(xù)漏極電流：7.1 A
- RDS -于：28@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.5 ns
- 典型上升時(shí)間：3.1 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：14 ns
- 典型下降時(shí)間：9.7 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 最大門源電壓：±20
- 包裝寬度：4(Max)
- PCB：8
- 最大功率耗散：2100
- 最大漏源電壓：30
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：28@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：2
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：SO
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOIC
- 最高工作溫度：150
- 渠道類型：N
- 包裝長(zhǎng)度：5(Max)
- 引腳數(shù)：8
- 包裝高度：1.5(Max)
- 最大連續(xù)漏極電流：7.1
- 封裝：Tape and Reel
- 鉛形狀：Gull-wing
- P（ TOT ）：1.25W
- 匹配代碼：ZXMN3G32DN8TA
- R（ THJC ）：2.1K/W
- LogicLevel：YES
- 單位包：500
- 標(biāo)準(zhǔn)的提前期：10 weeks
- 最小起訂量：3000
- Q（克）：10.5nC
- LLRDS （上）：0.045Ohm
- 汽車：NO
- LLRDS （上）在：4.5V
- 我（D ）：7.1A
- V（ DS ）：30V
- 技術(shù)：TrenchFET
- 的RDS（on ） at10V：0.028Ohm
- 無(wú)鉛Defin：RoHS-conform
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5.5A
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
- 其他名稱：ZXMN3G32DN8TR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：28 mOhm @ 6A, 10V
- FET型：2 N-Channel (Dual)
- 功率 - 最大：1.25W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：472pF @ 15V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：10.5nC @ 10V
- 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 工廠包裝數(shù)量：500
- 產(chǎn)品種類：MOSFET
- 晶體管極性：N-Channel
- 配置：Dual
- 源極擊穿電壓：+/- 20 V
- 連續(xù)漏極電流：7.1 A
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- RDS（ON）：28 mOhms
- 功率耗散：2.1 W
- 最低工作溫度：- 55 C
- 封裝/外殼：SO-8
- 上升時(shí)間：3.1 ns
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：30 V
- RoHS：RoHS Compliant
- 下降時(shí)間：9.7 ns
- 柵源電壓（最大值）：?20 V
- 漏源導(dǎo)通電阻：0.028 ohm
- 工作溫度范圍：-55C to 150C
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
ZXMN3G32DN8TA相關(guān)型號(hào)
