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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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    13267088774 (微信同號)Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號華融大廈240511012790

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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    0755-8257355217302670049陳敏深圳市福田區(qū)華強北路1019號A座13樓11012046

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  • 深圳誠思涵科技有限公司

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    0755-23947236/8301550615302723671/15820783671曾小姐0755-82815131深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟518室11011880

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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ZXMN3AM832TA PDF資料
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  • 制造商:ZETEX[Zetex Semiconductors]
  • PDF文件大?。?01.03 Kbytes
  • PDF文件頁數:共7頁
  • 描述:MPPS Miniature Package Power Solutions DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3AM832TA技術規(guī)格
  • Rohs:Lead free / RoHS Compliant
  • 產品更改通知:MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
  • 標準包裝:3,000
  • FET 型 :2 N-Channel (Dual)
  • FET特點:Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(VDSS):30V
  • 電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C:2.9A
  • Rds(最大)@ ID,VGS:120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • VGS(TH)(最大)@ Id:1V @ 250μA
  • 柵極電荷(Qg)@ VGS:3.9nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)@?Vds的:190pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安裝類型 :Surface Mount
  • 包/盒 :8-MLP
  • 供應商器件封裝:8-MLP (3x2)
  • 包裝材料 :Tape & Reel (TR)
  • 最大門源電壓:±20
  • 歐盟RoHS指令:Compliant
  • 最高工作溫度:150
  • 通道模式:Enhancement
  • 最低工作溫度:-55
  • 包裝高度:1(Max)
  • 安裝:Surface Mount
  • 最大功率耗散:3000
  • 渠道類型:N
  • 封裝:Tape and Reel
  • 最大漏源電阻:120@10V
  • 最大漏源電壓:30
  • 每個芯片的元件數:2
  • 包裝寬度:2
  • 供應商封裝形式:MLP
  • 包裝長度:3
  • PCB:8
  • 最大連續(xù)漏極電流:3.7
  • 引腳數:8
  • 單位包:3000
  • 最小起訂量:3000
  • FET特點:Logic Level Gate
  • 安裝類型:Surface Mount
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:2.9A
  • 的Vgs(th ) (最大)@ Id:1V @ 250μA
  • 供應商設備封裝:8-MLP (3x2)
  • 其他名稱:ZXMN3AM832TR
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • FET型:2 N-Channel (Dual)
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 標準包裝:3,000
  • 漏極至源極電壓(Vdss):30V
  • 輸入電容(Ciss ) @ VDS:190pF @ 25V
  • 閘電荷(Qg ) @ VGS:3.9nC @ 10V
  • 封裝/外殼:8-MLP
  • RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
  • 工廠包裝數量:3000
  • 產品種類:MOSFET
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 配置:Dual Dual Drain
  • 源極擊穿電壓:+/- 20 V
  • 連續(xù)漏極電流:3.7 A
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • RDS(ON):180 mOhms
  • 功率耗散:3 W
  • 最低工作溫度:- 55 C
  • 封裝/外殼:MLP-8
  • 典型關閉延遲時間:6.6 ns
  • 上升時間:2.3 ns
  • 最高工作溫度:+ 150 C
  • 漏源擊穿電壓:30 V
購買、咨詢產品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復)
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