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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    TPH3202LD

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市宇浩揚科技有限公司

    10年

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  • 深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司

    15年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳億恒升電子有限公司

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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

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TPH3202LD PDF資料
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  • 制造商：Transphorm
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  • PDF文件頁數(shù)：共15頁
  • 描述：GANFET N-CH 600V 9A PQFN
TPH3202LD技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9.3nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±18V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 480V
  • 功率耗散（最大值）：65W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 5.5A，8V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝：PQFN（8x8）
  • 封裝/外殼：4-PowerDFN
  • 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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