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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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TC58NYG1S3EBAI5 PDF資料
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- 制造商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF文件大?。?89.01 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共65頁
- 描述:MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 GBIT (256M ?? 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
TC58NYG1S3EBAI5技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:NAND閃存
- RoHS:是
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TFBGA-63
- 存儲容量:2 Gbit
- 接口類型:Parallel
- 組織:256 M x 8
- 定時(shí)類型:Synchronous
- 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit
- 電源電壓-最小:1.7 V
- 電源電壓-最大:1.95 V
- 電源電流—最大值:30 mA
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 85 C
- 封裝:Tray
- 存儲類型:NAND
- 產(chǎn)品:NAND Flash
- 速度:25 ns
- 結(jié)構(gòu):Block Erase
- 商標(biāo):Toshiba Memory
- 最大時(shí)鐘頻率:-
- 濕度敏感性:Yes
- 產(chǎn)品類型:NAND Flash
- 工廠包裝數(shù)量:180
- 子類別:Memory & Data Storage
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