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TC58NYG1S3EBAI5
規(guī)格信息:

制造商:Toshiba

產(chǎn)品種類(lèi):NAND閃存

RoHS:

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TFBGA-63

存儲(chǔ)容量:2 Gbit

接口類(lèi)型:Parallel

組織:256 M x 8

定時(shí)類(lèi)型:Synchronous

數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit

電源電壓-最小:1.7 V

電源電壓-最大:1.95 V

電源電流—最大值:30 mA

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

封裝:Tray

存儲(chǔ)類(lèi)型:NAND

產(chǎn)品:NAND Flash

速度:25 ns

結(jié)構(gòu):Block Erase

商標(biāo):Toshiba Memory

最大時(shí)鐘頻率:-

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類(lèi)型:NAND Flash

工廠包裝數(shù)量:180

子類(lèi)別:Memory & Data Storage

介紹圖TC58NYG1S3EBAI5
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
TC58NYG1S3EBAI5MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 GBIT (256M ?? 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)489.01 Kbytes共65頁(yè)TC58NYG1S3EBAI5的PDF文件地址 TC58NYG1S3EBAI5的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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