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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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STP24N60DM2 PDF資料
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- 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF文件大小:1200.83 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共21頁(yè)
- 描述:N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
STP24N60DM2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:STMicroelectronics
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
- Id-連續(xù)漏極電流:18 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
- Qg-柵極電荷:29 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:150 W
- 配置:Single
- 商標(biāo)名:FDmesh
- 封裝:Tube
- 系列:STP24N60DM2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 商標(biāo):STMicroelectronics
- 下降時(shí)間:15 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:8.7 ns
- 工廠包裝數(shù)量:1000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:15 ns
- 單位重量:330 mg
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