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STP24N60DM2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:29 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

商標(biāo)名:FDmesh

封裝:Tube

系列:STP24N60DM2

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時(shí)間:15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:8.7 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns

典型接通延遲時(shí)間:15 ns

單位重量:330 mg

介紹圖STP24N60DM2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STP24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)1200.83 Kbytes共21頁STP24N60DM2的PDF文件地址 STP24N60DM2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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