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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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SSM6N68NU,LF PDF資料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:258.7 Kbytes
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- 描述:MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM6N68NU,LF技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:UDFN-6
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:4 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:84 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
- Vgs - 柵極-源極電壓:12 V, - 8 V
- Qg-柵極電荷:1.8 nC
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1 W
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:Reel
- 系列:SSM6N68NU
- 商標(biāo):Toshiba
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:5.2 S
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:26 ns
- 單位重量:8.500 mg
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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