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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
SSM6N7002KFU(T2N7002BKS)
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SSM6N7002KFU,LF PDF資料
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- 制造商:Toshiba
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- PDF文件頁數(shù):共8頁
- 描述:MOSFET Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
SSM6N7002KFU,LF技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Toshiba
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-363-6
- 通道數(shù)量:2 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
- Id-連續(xù)漏極電流:300 mA
- Rds On-漏源導通電阻:1.5 Ohms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:0.39 nC
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:500 mW
- 配置:Dual
- 通道模式:Enhancement
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:0.9 mm
- 長度:2 mm
- 系列:SSM6N7002
- 晶體管類型:2 N-Channel
- 寬度:1.25 mm
- 商標:Toshiba
- 正向跨導 - 最小值:1 S
- 下降時間:17 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時間:3.6 ns
- 工廠包裝數(shù)量:3000
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時間:38 ns
- 典型接通延遲時間:5.5 ns
- 單位重量:7.500 mg
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