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IPW65R018CFD7XKSA1 PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?.32 Mbytes
  • PDF文件頁數(shù):共14頁
  • 描述:通孔 N 通道 650 V 106A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-3
IPW65R019C7技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-247-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:75 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:19 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:215 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:446 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:21.1 mm
  • 長(zhǎng)度:16.13 mm
  • 系列:CoolMOS C7
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:5.21 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 下降時(shí)間:5 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:27 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:240
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:106 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:30 ns
  • 零件號(hào)別名:IPW65R019C7FKSA1 SP000928646
  • 單位重量:38 g
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