�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
IPW65R065C7 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������2018.23 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����15�
- ������Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPW65R065C7���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:PG-TO-247-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:650 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:33 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:65 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:3 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
- Qg-�ŘO늺�:64 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:171 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘���:CoolMOS
- ���b:Tube
- �߶�:21.1 mm
- �L��:16.13 mm
- ϵ��:CoolMOS C7
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:5.21 mm
- �̘�:Infineon Technologies
- �½��r�g:7 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:14 ns
- ���S���b��(sh��)��:240
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:72 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:17 ns
- ���̖�e��:IPW65R065C7XKSA1 SP001080116
- �����:38 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPW65R065C7���P(gu��n)��̖