�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BSZ0904NSIATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ�������613.46 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����9�
- ������MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSIATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- FET ��ͣ�N �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss����30V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r����18A��Ta����40A��Tc��
- �(q��)��늉������ Rds On����С Rds On����4.5V��10V
- ��ͬ Id �r�� Vgs��th�������ֵ����2V @ 250��A
- ��ͬ Vgs �r�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����11nC @ 4.5V
- Vgs�����ֵ������20V
- ��ͬ Vds �r��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����1463pF @ 15V
- FET ���ܣ�Ф�ػ����O�ܣ��w��
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����2.1W��Ta����37W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r��?Rds On�����ֵ����4 ���W @ 30A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 150��C��TJ��
- ���b��ͣ������N�b
- ����(y��ng)���������b��PG-TSDSON-8-FL
- ���b/�⚤��PG-TSDSON-8
- ͨ����ͣ�N
- ����B�m(x��)©�O�����40 A
- ���©Դ늉���30 V
- ���©Դ���ֵ��5.7 m0hms
- �����ֵ늉���2V
- ��С���ֵ늉���1.2V
- ����Դ늉���-20 V��+20 V
- ���b��ͣ�TSDSON
- ���_��(sh��)Ŀ��8
- ���w�������
- ͨ��ģʽ������(qi��ng)
- e������ MOSFET
- ����ʺ�ɢ��37 W
- �߶ȣ�1.1mm
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- �ߴ磺3.4 x 3.4 x 1.1mm
- ���ȣ�3.4mm
- ϵ�У�OptiMOS
- ���w�ܲ��ϣ�Si
- ���͖ŘO늺�@Vgs��8.5 nC @ 4.5
- ����ݔ�����ֵ@Vds��1100 pF @ 15 V
- �����P(gu��n)�����t�r�g��16 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g��3.3 ns
- ������ضȣ�-55 ��C
- ��߹����ضȣ�+150 ��C
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BSZ0904NSIATMA1���P(gu��n)��̖
![P(gun)]](/imgs/dlgclose.gif "P(gun)]")
