�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
BSZ096N10LS5ATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������1.37 Mbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����11�
- ������MOSFET
BSZ096N10LS5ATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TSDSON-8
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:40 A
- Rds On-©Դ��ͨ���:9.6 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.1 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
- Qg-�ŘO늺�:22 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:69 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘���:OptiMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1.1 mm
- �L��:3.3 mm
- ϵ��:OptiMOS 5
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:3.3 mm
- �̘�:Infineon Technologies
- ����猧 - ��Сֵ:22 S
- �_�l(f��)��:EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
- �½��r�g:5.3 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r�g:4.6 ns
- ���S���b��(sh��)��:5000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:21 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:5.7 ns
- ���̖�e��:BSZ096N10LS5 SP001352994
- �����:36.700 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�)
BSZ096N10LS5AT���P(gu��n)��̖