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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N溝道)

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新潔能場(chǎng)效應(yīng)管NCEP15T14D

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上海三崧電子有限公司

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商品目錄
MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
商品詳情
Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 140 A Drain Current-Continuous(TC=100 ) ℃ ID (100℃) 100 A Pulsed Drain Current IDM 560 A Maximum Power Dissipation PD 340 W Derating factor 2.27 W/℃ Single pulse avalanche energy (Note 5) EAS 1296 mJ Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 175 ℃

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