FET 類(lèi)型N 溝道
技術(shù)GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）20A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）2.6V @ 300μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）14nC @ 8V
Vgs（最大值）±18V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）760pF @ 400V
功率耗散（最大值）96W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）130 毫歐 @ 13A，8V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝PQFN（8x8）
封裝/外殼3-PowerDFN
無(wú)鉛情況/RoHs無(wú)鉛/符合RoHs