FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：17A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 500μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 480V
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 11A，8V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220
封裝/外殼：TO-220-3
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs