FET 類型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：48A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 12mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 5V
Vgs（最大值）：+6V，-4V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1410pF @ 40V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.2 毫歐 @ 30A，5V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：模具
封裝/外殼：模具
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs