標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：eGaN®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：10A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 10A， 5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：2.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：300pF @ 20V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：模具
供應(yīng)商器件封裝：模具剖面（5 焊條）
配用：917-1101-ND - BOARD DEV FOR EPC2014C
其它名稱：917-1082-2