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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PICOSTAR-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:825 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

Qg-柵極電荷:1.09 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:FemtoFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.2 mm

長度:1 mm

系列:CSD25484F4

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:0.6 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:3.5 S

下降時間:8.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:18 ns

典型接通延遲時間:9.5 ns

單位重量:0.400 mg