制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PICOSTAR-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:840 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
Qg-柵極電荷:700 pC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PicoStar
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.35 mm
長度:0.73 mm
系列:CSD25480F3
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:0.64 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S
下降時間:7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:5 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:13 ns
典型接通延遲時間:9 ns
單位重量:0.300 mg
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CSD25480F3 | 20V P-Channel FemtoFET MOSFET | TI1[Texas Instruments] | 1106.28 Kbytes | 共14頁 | ![]() | ![]() |
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CSD25480F3T | 20V P-Channel FemtoFET MOSFET | TI1[Texas Instruments] | 1106.28 Kbytes | 共14頁 | ![]() | ![]() |
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