制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:200 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:44 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:19.7 mm
長度:9.25 mm
產(chǎn)品:Power MOSFET
系列:CSD19532KTT
晶體管類型:1 N-Channel
類型:N-Channel MOSFET
寬度:10.26 mm
商標(biāo):Texas Instruments
下降時間:2 ns
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:14 ns
典型接通延遲時間:9 ns
單位重量:2 g