制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:76 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
配置:Single
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Tube
高度:16.51 mm
長(zhǎng)度:10.67 mm
系列:CSD19505KCS
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:262 S
下降時(shí)間:6 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:16 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
單位重量:6 g