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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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ZXMP6A17N8TC PDF資料
- 資料下載
- 制造商：DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF文件大?。?72.93 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP6A17N8TC技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
- FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：60V
- 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：2.7A
- Rds（最大）@ ID，VGS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：17.7nC @ 10V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：637pF @ 30V
- 功率 - 最大：1.56W
- 安裝類型
：Surface Mount
- 包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
- 包裝材料
：Tape & Reel (TR)
- 包裝：8SO
- 渠道類型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：60 V
- 最大連續(xù)漏極電流：3.42 A
- RDS -于：125@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.6 ns
- 典型上升時(shí)間：3.4 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26.2 ns
- 典型下降時(shí)間：11.3 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 最大門源電壓：±20
- 包裝寬度：4(Max)
- PCB：8
- 最大功率耗散：2500
- 最大漏源電壓：60
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：125@10V
- 每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：SO
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOIC
- 最高工作溫度：150
- 包裝長度：5(Max)
- 引腳數(shù)：8
- 包裝高度：1.5(Max)
- 最大連續(xù)漏極電流：3.42
- 封裝：Tape and Reel
- 鉛形狀：Gull-wing
- 單位包：2500
- 最小起訂量：2500
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.7A (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP
- 其他名稱：ZXMP6A17N8TCTR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 2.3A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.56W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：60V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：637pF @ 30V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：17.7nC @ 10V
- 封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 晶體管極性：P-Channel
- 源極擊穿電壓：20 V
- 連續(xù)漏極電流：- 2.7 A
- 正向跨導(dǎo) - 閔：4.7 S
- RDS（ON）：125 mOhms
- 功率耗散：1.56 W
- 最低工作溫度：- 55 C
- 封裝/外殼：SOIC-8
- 配置：Single
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：- 60 V
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